任何存儲芯片的存儲容量都是有限的。要構成一定容量的內存，單個芯片往往不能滿足字長或存儲單元個數的要求，甚至字長和存儲單元數都不能滿足要求。這時，就需要用多個存儲芯片進行組合，以滿足對存儲容量的需求，這種組合就稱為存儲器的擴展。存儲器擴展時要解決的問題主要包括位擴展、字擴展和字位擴展。異步SRAM的接口是一種非常典型的半導體存儲芯片接口，掌握了它的接口設計方法就意味著掌握了一系列半導體存儲芯片接口的設計方法(包括 NoR Flash、E2PROM等)，同時也為學習其他半導體存儲芯片的接口設計打下了基礎。本節(jié)以異步SRAM的接口為例，介紹半導體存儲芯片接口設計的基本方法與原則。存儲器可以在大型機器上使用。天津24AA02E64T-E/OT存儲器原裝

計算機的存儲器可分成內存儲器和外存儲器。內存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用，并且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。如果學生沒有看筆記就知道內容，信息就被存儲在“內存儲器”中。如果學生必須查閱筆記，那么信息就在“外存儲器”中。內存儲器有很多類型。隨機存取存儲器( RAM)在計算期間被用作高速暫存記憶區(qū)。數據可以在RAM中存儲、讀取和用新的數據代替。當計算機在運行時RAM是可得到的。上海24AA02E48-E/SN存儲器只讀存儲存儲器更加便于攜帶與安裝，因此備受人們喜愛。

非易失性存儲器非易失性存儲器種類比較多，分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲器。ROMROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲器，又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫ROM)和EEPROM(電可擦寫可編程ROM)。MASKROM：真正意義上的只讀存儲器，一次性由廠家用特殊工藝固化，用戶無法修改。OTPROM：由用戶用專門設備來一次性寫入數據，只能寫入一次。EPROM：可重復擦寫，解決只能一次寫入的問題，但需要用專門的設備去操作，已被EEPROM取代。EEPROM：可實現重復擦寫，直接用電路控制，不需要專門的設備來進行擦寫。且操作單位為字節(jié)，并不需要操作整個芯片。EEPROM現在已是主流。正點原子所有開發(fā)板都有使用到EEPROM，用來存儲一些配置信息。

PROM（ProgrammableROM）：可編程程序只讀存儲器，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但只能寫錄一次EPROM（ErasableProgrammableROM）：可抹除可編程只讀存儲器，可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復使用EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory）：電子式可抹除可編程只讀存儲器，運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，完成之后的結果是會再次導入至相關的記憶存儲器之中我們可以從哪些方面了解存儲器？

把存儲器分為幾個層次主要基于下述原因：1、合理解決速度與成本的矛盾，以得到較高的性能價格比。半導體存儲器速度快，但價格高，容量不宜做得很大，因此只用作與CPU頻繁交流信息的內存儲器。磁盤存儲器價格較便宜，可以把容量做得很大，但存取速度較慢，因此用作存取次數較少，且需存放大量程序、原始數據（許多程序和數據是暫時不參加運算的）和運行結果的外存儲器。計算機在執(zhí)行某項任務時，只將與此有關的程序和原始數據從磁盤上調入容量較小的內存，通過CPU與內存進行高速的數據處理，然后將更終結果通過內存再寫入磁盤。這樣的配置價格適中，綜合存取速度則較快。存儲器是能夠提供超高效率的工具。廣東24AA02E64-I/SN存儲器

存儲器可以分為緩存存儲器和主存存儲器。天津24AA02E64T-E/OT存儲器原裝

隨著電子產品的快速發(fā)展，集成電路芯片已成為各種智能應用必不可少的中心部件之一。其中，25系列和24系列芯片作為常見的存儲芯片，它們在性能、功能等方面有何不同呢？以下將詳細介紹。一、25系列芯片25系列芯片是一種串行閃存芯片，具有高速數據傳輸以及易于編程的特點。常見的25系列芯片有25Q、25D、25S等型號。其中，25Q系列是一種通用的閃存芯片，擁有存儲容量從1MB到32MB不等。25D系列芯片則是一種雙倍存儲容量的閃存芯片，具有更高的數據存儲密度，但其價格較25Q系列芯片要高。25S系列芯片則是一種高可靠性閃存芯片，具有更高的數據保護性能。天津24AA02E64T-E/OT存儲器原裝

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